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Transphorm的GaN HEMT成为全球唯一获得JEDEC认证的氮化镓00 V GaN器件

发布时间:2017-03-21    点击数:245


    富士通代理的Transphorm是一家设计、生产氮化镓(GaN)功率转换器和模块的领导厂商,其产品应用于电源、功率适配器、马达驱动器、太阳能转换器以及电动车辆等领域。Transphorm符合JEDEC的制程与富士通的基础技术进行整合后,使用富士通福岛会津工厂的6寸CMOS制程生产,为硅芯片制造提供多项关键功能的提升,保证了GaN电源器件解决方案产品线进入可靠的量产环节。

 Transphorm的GaN HEMT器件采用独有结构,除了拥有比MOSFET更快的开关性能外,还因为工作频率的提高,降低了其电容和电阻的尺寸。更重要的是,在此提高频率的同时,效率并不会受到影响。无论是正向导通的栅极电荷还是Qrr,Transphorm的GaN HEMT较其他产品都有明显的优势。得益于其优越的性能,Transphorm的GaN HEMT成为全球首款也是唯一获得JEDEC认证的600 V GaN器件。

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